Ceramics-Silikáty 22, (3) 251 - 260 (1978)

Záhrevom vo vákuovej odporovej piecke sa sledoval vplyv zloženia na priebeh odparovania binárnych subsystémov typu Me_xO_y-MgO sústavy kysličníkov, tvoriacich žiaruvzdorné materiály na báze magnezitu. Diskontinuálným záhrevom v teplotnom intervale 700-2600 °C sa získali frakcie kondenzátov na spektrálnej elektróde. Emisnou spektrálnou analýzou sa získali redukované integrálne intenzity analytických čiar, z ktorých sa zostrojili „vzťahové odparovacie krivky“. Zistilo sa, že počiatočné teploty odparovania MgO vo vákuu 1 Pa v sústavách s CaO, Al₂O₃, Fe₂O₃, Cr₂O₃, SiO₂ ležia v teplotnom intervale 1500 až 2200 °C a závisia od druhu a koncentrácie druhej zložky.