Ceramics-Silikáty 29, (3) 215 - 225 (1985)

Metodou elektronové mikroanalýzy byl sledován vývoj difúzní vrstvy SiO₂ na povrchu zrn písku po projití teplotními režimy odpovídajícími průběhu teplot ve vrstvě kmene na hladině skloviny. Výsledky ukázaly, že difúzní vrstva kolem zrn je souvislá a její tloušťka se pohybuje kolem 4-5 μm. Statistickým zpracováním výsledku bylo zjištěno, že tloušťka difúzní vrstvy je nezávislá na tvaru a velikosti zrna, jakož i na použitém teplotním režimu. Při zvýšení konečné teploty vzrostla i tloušťka difúzní vrstvy. Odhadnutý podíl doby rozpouštění písku ve vrstvě z celkové doby rozpoušťění činí jen asi 2-4 %.